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PECVD(固液蒸發(fā)防冷凝裝置)
發(fā)布時間: 2025-01-07 瀏覽次數(shù):2436
在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝中,前端配備液態(tài)氣相發(fā)生器(Liquid to Vapor Generator),后端配備真空泵尾氣處理罐(Condensation Prevention Exhaust Gas Treatment Tank for Vacuum Pumps),可以構(gòu)建一個高效、環(huán)保且穩(wěn)定的薄膜沉積系統(tǒng)。這種配置不僅能夠確保反應(yīng)氣體的精確控制和均勻傳輸,還能有效防止尾氣中的冷凝現(xiàn)象,避免有害物質(zhì)在管道或設(shè)備內(nèi)部形成積聚,保護(hù)環(huán)境和操作人員健康。
![]() | 設(shè)備特點(diǎn): 1. 精密溫控系統(tǒng) ?PID調(diào)節(jié):采用先進(jìn)的PID算法,實(shí)現(xiàn)對蒸發(fā)溫度的精確控制,確保前驅(qū)物能夠在最適宜的溫度下蒸發(fā)。 ?快速響應(yīng):具備快速升溫/降溫的能力,滿足不同工藝流程的需求。 2. 高效的蒸發(fā) ?優(yōu)化設(shè)計(jì):蒸發(fā)器結(jié)構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì),最大化蒸發(fā)效率的同時減少殘留物質(zhì)的積累。 3. 可靠的防冷凝措施 ?真空泵防冷凝尾氣處理罐用于去除或減少真空泵排放氣體中的有害物質(zhì),如揮發(fā)性有機(jī)化合物(VOCs)、酸性氣體、粉塵等,以確保符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),并保護(hù)環(huán)境和操作人員健康。 4. 智能化操作界面 ?觸摸屏控制:提供直觀易用的觸摸屏界面,用戶可以輕松設(shè)置參數(shù)并監(jiān)控運(yùn)行狀態(tài)。 ?數(shù)據(jù)記錄與分析:自動記錄關(guān)鍵運(yùn)行數(shù)據(jù),并生成報(bào)告,便于后續(xù)分析和改進(jìn)。 | |||||||
設(shè)備名稱 | 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) | |||||||
規(guī)格型號 | NBD-PECVD1200-80TID4ZY | |||||||
額定功率 | 7.5KW+1.5KW | |||||||
供電電源 | 三相380V 50HZ | |||||||
射頻頻率 | 13.56Mhz | |||||||
射頻功率范圍 | 0-500W | |||||||
沉積加熱額定功率 | 2.5KW | |||||||
蒸發(fā)器額定功率 | 1.3KW | |||||||
伴熱帶額定功率 | 75W | |||||||
沉積額定溫度 | 1150℃ | |||||||
蒸發(fā)器額定溫度 | 400℃ | |||||||
伴熱帶額定溫度 | 150℃ | |||||||
控溫精度 | ±1℃ | |||||||
傳感器類型 | K型熱電偶 | |||||||
Tmax | 1200℃ | |||||||
升溫速率 | 1℃/H-20℃/Min | |||||||
爐膛尺寸 | 一溫區(qū)Φ150*200;二溫區(qū)Φ150*200 | |||||||
爐管尺寸 | 石英管φ80*1400mm | |||||||
四路進(jìn)氣 | 質(zhì)量流量控制器規(guī)格: S500 50SCCM 兩路:Φ6.35雙卡套 氮?dú)鈽?biāo)定 S500 30SCCM 一路:Φ6.35雙卡套 氮?dú)鈽?biāo)定 S500 1000SCCM一路:Φ6.35雙卡套 氮?dú)鈽?biāo)定 | |||||||
爐體尺寸 | 2230*800*1300mm | |||||||
控制系統(tǒng) | ![]() | 1、燒結(jié)工藝曲線設(shè)置:動態(tài)顯示設(shè)置曲線,設(shè)備燒結(jié)可預(yù)存多條工藝曲線,每條工藝曲線可自由設(shè)置;2、可預(yù)約燒結(jié),實(shí)現(xiàn)無人值守?zé)Y(jié)工藝曲線燒結(jié);3、實(shí)時顯示燒結(jié)功率電壓等信息并記錄燒結(jié)數(shù)據(jù),并可導(dǎo)出實(shí)現(xiàn)無紙記錄; 4、具有實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程操控,實(shí)時觀測設(shè)備狀態(tài); 5、溫度校正:主控溫度和試樣溫度的差值,燒結(jié)全程進(jìn)行非線性修正。 | ||||||
溫度精度 | ±1℃ | |||||||
加熱元件 |
| Mo摻雜的Fe-Cr-Al合金 | ||||||
液態(tài)蒸汽發(fā)生器+蠕動泵 | ![]() | 該系統(tǒng)能夠精確控制液體前驅(qū)物的輸送,并將其高效轉(zhuǎn)化為氣態(tài),確保反應(yīng)氣體的均勻傳輸,從而提高了薄膜沉積的質(zhì)量和效率。這種組合特別適用于需要高精度流量控制和穩(wěn)定蒸發(fā)的應(yīng)用場景。 | ||||||
真空泵尾氣處理罐 | ![]() | 用于去除或減少真空泵排放氣體中的有害物質(zhì),如揮發(fā)性有機(jī)化合物(VOCs)、酸性氣體、粉塵等,確保排放符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),并保護(hù)環(huán)境和操作人員健康。 | ||||||
可選配 (CRB升級型尾氣凈化器) | ![]() | 本公司研制的NBD-B型外延爐尾氣凈化器,在結(jié)構(gòu)上綜合采用了2個噴洗室和1個填料柱室,洗滌器所產(chǎn)生的負(fù)壓由人工手動控制,補(bǔ)水系統(tǒng)由人工根據(jù)工藝情況調(diào)節(jié)。水溶性氣體的清除率高達(dá) 99.99%。凈化效率最高、維護(hù)最方便,運(yùn)行成本最低。 | ||||||
PECVD+CRB升級型尾氣凈化器應(yīng)用 | ![]() | |||||||
凈重 | 260kg | |||||||
設(shè)備使用注意事項(xiàng) | 1、設(shè)備爐膛溫度≥300℃時,禁止打開爐膛,避免受到傷害; 2、設(shè)備使用時,爐管內(nèi)壓力不得超過0.125MPa(絕對壓力),以防止壓力過大造成設(shè)備損壞; 3、真空下使用時,設(shè)備使用溫度不得超過800℃。 4、供氣鋼瓶內(nèi)部氣壓較高,向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在選購試驗(yàn)用小壓力減壓閥,減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時會更加精確安全。 5、當(dāng)爐體溫度高于1000℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓 相當(dāng),保持在常壓狀態(tài); 6、高純石英管的長時間使用溫度≦1100℃ 7、加熱的實(shí)驗(yàn)時,不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若絕對壓力表讀數(shù)大于0.15MPa,必須立刻打開排氣端閥門,以防意外發(fā)生(如爐 管破裂,法蘭飛出等)。 | |||||||
服務(wù)支持 | 一年有限保修,提供終身支持(保修范圍內(nèi)不包括易耗部件,例如處理管和O形圈,請?jiān)谙旅娴南嚓P(guān)產(chǎn)品處訂購更換件)。 | |||||||
應(yīng)用領(lǐng)域
1.?半導(dǎo)體制造:用于制備硅基器件上的絕緣層、導(dǎo)電層等,如二氧化硅(SiO?)、氮化硅(Si?N?)等。
2.?光伏產(chǎn)業(yè):生產(chǎn)太陽能電池板所需的減反射膜、背場接觸層等。
3.?光學(xué)涂層:為鏡頭、鏡子等光學(xué)元件提供高反射率或低反射率的涂層。
4.?微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS):制造微小尺寸的傳感器、執(zhí)行器等器件。