發布時間： 2024-02-03 瀏覽次數：2085
設備簡介：此設備是為高等院校，科研院所及工礦企業對金屬、非金屬及其它化合物材料在氣氛狀態下進行燒結、沉積、分析而研制的專用設備，它采用PLC控制，觸摸屏操作。由燒結系統、電控系統、真空系統、進出氣系統組成。
| 設備特點： 1、采用特殊爐膛結構，溫度均勻性較一般爐型好。 2、控制穩定可靠，操作方便，安全防護措施完善。 3、采用先進的PID自學習模糊控制，控溫精度高，保持在±1℃。 4、爐襯采用高純氧化鋁輕質纖維材料，保溫效果更好，節能降耗。 5、具有物聯網功能（WIFI），可通過手機、電腦遠程對設備進行監控，操作。 6、數據存儲功能，可保存燒結的重要參數，時長達30天之久（每天開機8小時）。 7、配方功能，可預存配方100條以上。 8、特有的質量流量計額定流量轉換功能，通過選擇不同的氣體種類，系統自動轉換為該氣體對應的額定流量，使數據更加準確。 9、聯網功能，通過RJ45接口，采用TCP/IP協議，可以讓系統與上位機相連（上位機需安裝相應軟件）。 | ||||||
設備型號 | NBD-T1200-215T3D3ZY | ||||||
Tmax | 1200℃ | ||||||
電氣規格 | 三相380V 50HZ | ||||||
額定功率 | 25KW | ||||||
長期使用溫度范圍 | 300~1150℃ | ||||||
升溫速率 | 1℃/H-20℃/Min | ||||||
加熱元件 | 優質鐵鉻鋁合金絲 | ||||||
送料方式 | 手動送料 | ||||||
測溫元件類型 | K型熱電偶 420mm | ||||||
石英管尺寸 | 外φ215*1660mm（壁厚5mm） | ||||||
爐膛內尺寸 | Φ250*1400mm | ||||||
恒溫區尺寸 | Φ200*1300mm | ||||||
爐管材質 | 高純石英 | ||||||
三路質量流量控制（MFC） | 2000ml/min,2000ml/min,10000ml/min | ||||||
爐體尺寸 | 長2300（3080）高1850mm *深940* | ||||||
升溫速率 | 1℃/H-20℃/Min | ||||||
重量 | 550kg | ||||||
控制系統 |
| 1、燒結工藝曲線設置：動態顯示設置曲線，設備燒結可預存多條工藝曲線，每條工藝曲線可自由設置； 2、可預約燒結，實現無人值守燒結工藝曲線燒結； 3、實時顯示燒結功率電壓等信息并記錄燒結數據，并可導出實現無紙記錄； 4、具有實現遠程操控，實時觀測設備狀態； 5、溫度校正：主控溫度和試樣溫度的差值，燒結全程進行非線性修正。 | |||||
| 預約燒結 |  | 優化設備利用率、保障燒結工藝穩定性、節省等待時間，實現高效有序的樣品制備 | |||||
| 實驗數據存儲 |  | 保障數據安全完整、規范化管理與高效檢索 | |||||
| 非線性溫度修正 |  | 通過算法非線性修正控溫點與樣品由于在溫場中位置不同而產生的溫度偏差，提升控制溫度與樣品溫度的一致性、簡化操作，提升實驗數據準確。 | |||||
| 20組工藝曲線設置 |  | 可預設多類實驗專屬溫度程序、保障實驗重復性與操作便捷性，支持工藝優化與數據追溯，適配團隊協作與技術傳承，大幅提升實驗效率與設計靈活性。 | |||||
| 遠程操作 |
| 可通過電腦、手機等終端，隨時隨地登錄控制系統查看加熱爐運行狀態（溫度、壓力、升溫速率等），并根據實驗需求遠程調整參數、啟動 / 暫停程序。夜間或節假日無需往返實驗室，即可應對實驗過程中的參數微調需求；跨地域出差時也能實時監控關鍵實驗進程，大幅減少無效通勤時間，讓科研人員更高效地分配工作精力。 | |||||
加熱元件 |  | Mo摻雜的Fe-Cr-Al合金 | |||||
設備細節 |
加熱腔體 |
進料口 | |||||
壓力測量與監控 |  | 采用機械壓力表，表外殼為氣密型結構，能有效保護內部機件免受環境影響和雜物侵入，同時具有較強的耐腐蝕和耐高溫的能力。 | |||||
浮子流量計 |  | 采用浮子流量計控制氣體流速，與設備集成為一體，且出廠前已進行漏氣測試工作。 | |||||
弱腐蝕性氣體預熱器 （可選配） |
| 通體采用316L材料，對于各種氣體以及腐蝕性氣體的預加熱處理，滿足特殊的工藝需求，最高溫度達600℃。 | |||||
控溫精度 | ±1℃ | ||||||
加熱元件 | Mo摻雜的Fe-Cr-Al合金 | ||||||
流程控制界面 |
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設備使用注意事項 | 1、設備爐膛溫度≥300℃時，禁止打開爐膛，避免受到傷害； 2、設備使用時，爐管內壓力不得超過0.125MPa（Absolute壓力），以防止壓力過大造成設備損壞 3、真空下使用時，設備使用溫度不得超過800℃。 4、供氣鋼瓶內部氣壓較高，向爐管內通入氣體時，氣瓶上須安裝減壓閥，建議在選購試驗用小壓力減壓閥，減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時會更加精確安全。 5、當爐體溫度高于1000℃時，爐管內不可處于真空狀態，爐管內的氣壓需和大氣壓 相當，保持在常壓狀態； 6、高純石英管的長時間使用溫度≦1100℃ 7、加熱的實驗時，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數，Absolute壓力表讀數不要大于0.15MPa，須立刻打開排氣端閥門，以防意外發生（如爐 管破裂，法蘭飛出等）。 | ||||||
服務支持 | 一年有限保修，提供終身支持（保修范圍內不包括易耗部件，例如處理管和O形圈，請在下面的相關產品處訂購更換件。） | ||||||
硅片 / 晶圓擴散摻雜
磷（P）、硼（B）、砷（As）等雜質高溫擴散，形成PN 結、發射極、基區、源漏。
多溫區保證整管晶圓方阻均勻、結深一致，適配 8/12 英寸產線。
氧化與退火
干氧 / 濕氧氧化生長高質量柵氧、場氧薄層。
離子注入后高溫退火：激活摻雜、修復晶格缺陷、降低漏電。
薄膜退火與合金化
金屬硅化物（如 TiSi?）、接觸電極合金退火。
介質膜（SiO?、SiNx）致密化退火。
晶體硅電池（P/N 型）
磷擴散（P 型硅）：形成發射極與前 PN 結。
硼擴散（N 型硅 / TOPCon）：形成背表面場（BSF）或隧穿氧化層摻雜。
多溫區保障整片 / 整管方阻均勻（±1% 內），提升轉換效率與良率。
TOPCon、HJT、IBC 先進電池
硼擴、磷擴、氧化層退火、原位摻雜。
低壓 / 真空多溫區擴散：少子壽命高、結深淺、均勻性好。
Ⅲ-Ⅴ 族器件
GaAs：Zn、Si 擴散，制備發光管、激光器、微波器件。
InP：Fe、Zn 摻雜，光電探測器、光纖通信芯片。
寬禁帶半導體（SiC/GaN）
N/P 型摻雜（N、Al、B）、高溫退火激活。
氧化 / 界面退火：制備 SiC MOSFET、GaN HEMT。
IGBT、MOSFET、晶閘管、二極管
終端擴散（硼 / 磷）、場環、結終端延伸（JTE）。
** 高溫退火（1000–1200℃）** 穩定結構、提升耐壓與可靠性。
正極材料（NCM、LFP、鈷酸鋰）
分段燒結 / 熱處理：多溫區精準控溫，優化晶粒、比容量、循環壽命。
負極 / 固態電解質
碳材料石墨化、硫化物 / 氧化物固態電解質退火。
催化劑研發
梯度活化、多溫度段同步評價，快速篩選工藝條件。
氣敏 / 熱敏陶瓷、壓電材料
摻雜擴散、氣氛燒結、缺陷調控，提升靈敏度與穩定性。
材料科學、物理、化工：擴散、氧化、退火、燒結、 CVD 基礎研究。
小批量試樣 / 大尺寸基板：工藝驗證、參數優化、中試放大。
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