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CdZnTe晶體
發(fā)布時間: 2024-03-22 瀏覽次數(shù):1686
產(chǎn)品名稱 Cd1-xZnxTe晶體基片 技術(shù)參數(shù) 晶體結(jié)構(gòu):立方晶系 晶格常數(shù):a = 6.483 – 6.446? 密度:5.605g/cm3 熔點:1975℃ 熱導率:30W /m.k at 300K 熱膨脹系數(shù):6.5 // a??3.7 //
c?10-6/K 透過波長:0.4 ~ 0.6μm 產(chǎn)品規(guī)格 常規(guī)晶向:(111) 型號:P型 其中Zn占14% 電阻率:1*10(6) 常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm 拋光情況:單拋、雙拋 拋光面粗糙度:<15A 注:可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。 晶體缺陷 人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 標準包裝 1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理