發布時間： 2024-06-17 瀏覽次數：2562
設備簡介：三溫區PECVD系統，即等離子體增強化學氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）系統，是一種先進的薄膜沉積技術，廣泛應用于半導體工業、微電子、光電子、太陽能等領域。該系統通過射頻電源將石英真空室內的氣體轉變為離子態，利用等離子體中的高能電子激活反應氣體，使其在較低的溫度下發生化學反應，從而在基材上沉積出所需的薄膜。
| 設備特點： 1、溫度控制精準：三溫區設計使得系統能夠實現更精準的溫度控制，滿足不同材料和工藝對溫度的需求。通過三個PID溫度控制器，可以分別控制不同區域的溫度，確保整個沉積過程在理想的溫度范圍內進行。 2、沉積速度快：相比傳統的化學氣相沉積（CVD）技術，PECVD系統具有更高的沉積速率。這主要得益于等離子體的作用，使得反應氣體在較低的溫度下就能發生化學反應，從而加快了沉積速度。 膜層均勻性好：通過射頻電源的頻率控制，可以精確調節所沉積薄膜的應力大小，從而保證膜層的均勻性和一致性。這種精確控制對于制備高質量、高性能的薄膜材料至關重要。 3、操作穩定性高：三溫區PECVD系統采用先進的真空系統和多通道質子混氣系統，確保了系統的穩定性和可靠性。在長時間運行過程中，系統能夠保持穩定的沉積速率和膜層質量，滿足大規模生產的需求。 4、應用廣泛：該系統可廣泛應用于生長納米線、石墨烯及薄膜材料等領域。例如，在太陽能電池領域，PECVD技術被用于制備高質量的硅基薄膜太陽能電池；在微電子領域，PECVD技術被用于制備各種薄膜材料，如SiO2、SiNx等。 | |
規格型號① | NBD-PECVD1200-80T3D4ZY-150 | |
名稱① | CVD系統 | |
供電電源 | 380V 50HZ | |
Tmax | 1200℃ | |
額定溫度 | 1150℃ | |
觸摸屏尺寸 | 7" | |
溫區尺寸 | 200+200+200mm（三溫三控） | |
加熱額定功率 | 9KW | |
傳感器類型 | K型熱電偶 | |
爐管材質及尺寸 | 石英管Φ80*1400mm | |
推薦升溫速率 | ≤10/min | |
機械泵抽氣速率 | 6立方米每小時 KF25 | |
爐腔極限真空度 | 3~5Pa 配數顯真空計 | |
進氣系統 | 四路質量流量控制器100sccm 200sccm 500sccm 500sccm | |
爐體外形尺寸 | 長1488*高1275*深760mm | |
規格型號② | RF-500W | |
名稱② | 等離子發生器 | |
射頻頻率 | 13.56MHz | |
射頻功率輸出范圍 | 0-500W可調 | |
外形尺寸 | 長275mm×高380mm×深430mm | |
射頻功率 | 500W | |
控制系統 |
| 1、燒結工藝曲線設置：動態顯示設置曲線，設備燒結可預存多條工藝曲線，每條工藝曲線可自由設置； 2、可預約燒結，實現無人值守燒結工藝曲線燒結； 3、實時顯示燒結功率電壓等信息并記錄燒結數據，并可導出實現無紙記錄； 4、具有實現遠程操控，實時觀測設備狀態； 5、溫度校正：主控溫度和試樣溫度的差值，燒結全程進行非線性修正 |
| 預約燒結 |  | 優化設備利用率、保障燒結工藝穩定性、節省等待時間，實現高效有序的樣品制備 |
| 20組工藝曲線設置 |  | 可預設多類實驗專屬溫度程序、保障實驗重復性與操作便捷性，支持工藝優化與數據追溯，適配團隊協作與技術傳承，大幅提升實驗效率與設計靈活性。 |
| 實驗數據存儲 |  | 保障數據安全完整、規范化管理與高效檢索 |
| 非線性溫度修正 |  | 通過算法非線性修正控溫點與樣品由于在溫場中位置不同而產生的溫度偏差，提升控制溫度與樣品溫度的一致性、簡化操作，提升實驗數據準確。 |
| 遠程操作 |  | 可通過電腦、手機等終端，隨時隨地登錄控制系統查看加熱爐運行狀態（溫度、壓力、升溫速率等），并根據實驗需求遠程調整參數、啟動 / 暫停程序。夜間或節假日無需往返實驗室，即可應對實驗過程中的參數微調需求；跨地域出差時也能實時監控關鍵實驗進程，大幅減少無效通勤時間，讓科研人員更高效地分配工作精力。 |
溫度精度 | ±1℃ | |
壓力測量與監控 |
| 采用機械壓力表，表外殼為氣密型結構，能有效保護內部機件免受環境影響和雜物侵入，同時具有較強的耐腐蝕和耐高溫的能力。 |
供氣系統 |
| 采用浮子流量計控制氣體流速，與設備一體化，且出廠前已進行漏氣測試工作。 |
設備細節 |
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可選配 （CRB升級型尾氣凈化器） |
| 本公司研制的NBD-B型外延爐尾氣凈化器，在結構上綜合采用了2個噴洗室和1個填料柱室，洗滌器所產生的負壓由人工手動控制，補水系統由人工根據工藝情況調節。水溶性氣體的清除率高達 99.99％。凈化效率最高、維護最方便，運行成本最低。 |
PECVD+CRB升級型尾氣凈化器應用 |
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凈重 | 280kg | |
設備使用注意事項 | 1、設備爐膛溫度≥300℃時，禁止打開爐膛，避免受到傷害； 2、設備使用時，爐管內壓力不得超過0.125MPa（絕對壓力），以防止壓力過大造成設備損壞； 3、真空下使用時，設備使用溫度不得超過800℃。 4、供氣鋼瓶內部氣壓較高，向爐管內通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在選購試驗用小壓力減壓閥，減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時會更加精確安全。 5、當爐體溫度高于1000℃時，爐管內不可處于真空狀態，爐管內的氣壓需和大氣壓 相當，保持在常壓狀態； 6、高純石英管的長時間使用溫度≦1100℃ 7、加熱的實驗時，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數，絕對壓力表讀數不要大于0.15MPa，必須立刻打開排氣端閥門，以防意外發生（如爐 管破裂，法蘭飛出等）。 | |
服務支持 | 一年有限保修，提供終身支持（保修范圍內不包括易耗部件，例如處理管和O形圈，請在下面的相關產品處訂購更換件。） | |
由于出廠批次不準，設備參數依據實物為準。
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PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）是低溫、高質量、大面積、共形薄膜沉積的核心技術，廣泛應用于半導體、光伏、顯示、MEMS、光學、生物醫療、汽車與工業防護等高端制造領域。
一、半導體與集成電路（最核心應用）
介電層沉積：SiO?、SiN?、SiON 作為層間介質（ILD）、金屬間介質（IMD）、柵極絕緣層、硬掩模。
鈍化與防護：SiN? 鈍化層，阻隔水汽、離子，提升芯片可靠性。
先進封裝：TSV（硅通孔）絕緣、重布線層（RDL）介質、晶圓級封裝（WLP）保護層。
特色：200–400℃低溫，兼容鋁 / 銅互連與敏感結構。
晶硅電池：沉積 SiN?:H 減反 + 鈍化層，提升轉換效率、抗 PID。
薄膜電池：非晶硅（a-Si:H）、微晶硅、CdTe、CIGS 吸光層 / 窗口層 / 緩沖層。
鈣鈦礦電池：低溫沉積電子 / 空穴傳輸層、封裝阻隔層。
TFT-LCD：a-Si:H 溝道層、SiN?/SiO? 柵絕緣 / 鈍化、平坦化層。
OLED/Micro-LED：SiN?、Al?O? 薄膜封裝（TFE），阻隔水氧、延長壽命。
透明導電與光學：TCO（如 ITO）、增透 / 抗反射膜、彩色濾光片保護層。
結構層 / 犧牲層：低應力 SiN?、SiO? 用于懸臂梁、微鏡、壓力 / 加速度傳感器。
封裝與防護：真空 / 氣密封裝、抗腐蝕 / 抗磨損涂層。
壓電 / 聲學器件：壓電薄膜（如 AlN）沉積。
光學元件：增透膜、高反膜、濾光膜、DLC（類金剛石）耐磨 / 抗刮涂層。
激光 / 光通信：波導、VCSEL 鈍化、濾波器、耦合器介質膜。
汽車激光雷達 / 攝像頭：防水霧、耐候、抗反射涂層。
植入物：DLC、TiN、SiC 涂層，提升生物相容性、降低摩擦 / 排異。
醫用耗材：導管 / 支架抗凝血、抗菌、耐蝕涂層。
微流控 / 生物傳感器：功能化涂層，提升檢測靈敏度與穩定性。
機械部件：發動機、軸承、刀具沉積 DLC 低摩擦 / 耐磨涂層，延壽。
電子電控：ECU、傳感器納米級防潮 / 防鹽霧 / 絕緣涂層。
燃料電池：雙極板導電 / 耐腐蝕涂層，降低接觸電阻。
柔性基板：在 PI、PET 等塑料上低溫沉積絕緣 / 導電 / 封裝層。
印刷電子：薄膜晶體管、柔性傳感器、可穿戴器件功能層。
量子器件 / 二維材料：低溫沉積封裝與鈍化層。
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